在理想完整晶體中，原子按一定的次序嚴(yán)格地處在空間有規(guī)則的、周期性的格點(diǎn)上。但在實(shí)際的晶體中，由于晶體形成條件、原子的熱運(yùn)動及其它條件的影響，原子的排列不可能那樣完整和規(guī)則，往往存在偏離了理想晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)域。這些與完整周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的偏離就是晶體中的缺陷，它破壞了晶體的對稱性。
晶體中存在的缺陷種類很多，根據(jù)幾何形狀和涉及的范圍�？煞譃辄c(diǎn)缺陷、面缺陷、線缺陷幾種主要類型。
點(diǎn)缺陷：是指三維尺寸都很小，不超過幾個(gè)原子直徑的缺陷。主要有空位和間隙原子
空位是指未被原子所占有的晶格結(jié)點(diǎn)。間隙原子是處在晶格間隙中的多余原子。點(diǎn)缺陷的出現(xiàn)，使周圍的原子發(fā)生靠攏或撐開，造成晶格畸變。使材料的強(qiáng)度、硬度和電阻率增加。所以金屬中，點(diǎn)缺陷越多,它的強(qiáng)度、硬度越高。
線缺陷：是指三維空間中在二維方向上尺寸較小，在另一維方面上尺寸較大的缺陷。屬于這類缺陷主要是位錯(cuò)。什么是位錯(cuò)呢？
位錯(cuò)是晶體中的某處有一列或若干列原子發(fā)生了某種有規(guī)律的錯(cuò)排現(xiàn)象。
面缺陷：是指二維尺寸很大而第三維尺寸很小的缺陷。通常是指晶界和亞晶界。
晶界：晶粒之間的邊界稱為晶界。
亞晶界：亞晶粒之間的邊界叫亞晶界。
按缺陷的形成又可以分為本征缺陷和雜質(zhì)缺陷。
本征缺陷——由晶體本身偏離晶格結(jié)構(gòu)形成的缺陷，是由于晶格結(jié)點(diǎn)上的粒子的熱運(yùn)動產(chǎn)生的，也稱熱缺陷。如：
空位缺陷：晶格結(jié)點(diǎn)缺少了某些原子（或離子）而出現(xiàn)了空位。
間充缺陷：在晶格結(jié)點(diǎn)的空隙中，間充有原子（或離子）。
錯(cuò)位缺陷：在晶格結(jié)點(diǎn)上A類原子占據(jù)了B類原子所應(yīng)占據(jù)的位置。
非整比缺陷：晶體的組成偏離了定組成定律的非整比性的缺陷。
雜質(zhì)缺陷——雜質(zhì)粒子進(jìn)入晶體形成的缺陷，如雜質(zhì)粒子和間隙粒子缺陷。
晶體缺陷一般對晶體的化學(xué)性質(zhì)影響較小，而對晶體的一些物理性質(zhì)如導(dǎo)電性、磁性、光學(xué)性能及機(jī)械性能影響很大。
[1] [2] 下一頁 |
