在二十世紀初葉，人們?yōu)榱颂接懳镔|(zhì)的變化和性質(zhì)產(chǎn)生的原因，紛紛從微觀角度來研究晶體內(nèi)部結構，特別是X射線衍射的出現(xiàn)，揭示出晶體內(nèi)部質(zhì)點排列的規(guī)律性，認為內(nèi)部質(zhì)點在三維空間呈有序的無限周期重復性排列，即所謂空間點陣結構學說。
前面講到的都是理想的晶體結構，實際上這種理想的晶體結構在真實的晶體中是不存在的，事實上，無論是自然界中存在的天然晶體，還是在實驗室（或工廠中）培養(yǎng)的人工晶體或是陶瓷和其它硅酸鹽制品中的晶相，都總是或多或少存在某些缺陷，因為：首先晶體在生長過程中，總是不可避免地受到外界環(huán)境中各種復雜因素不同程度影響，不可能按理想發(fā)育，即質(zhì)點排列不嚴格服從空間格子規(guī)律，可能存在空位、間隙離子、位錯、鑲嵌結構等缺陷，外形可能不規(guī)則。另外，晶體形成后，還會受到外界各種因素作用如溫度、溶解、擠壓、扭曲等等。
晶體缺陷：各種偏離晶體結構中質(zhì)點周期重復排列的因素，嚴格說，造成晶體點陣結構周期勢場畸變的一切因素。
如晶體中進入了一些雜質(zhì)。這些雜質(zhì)也會占據(jù)一定的位置，這樣破壞了原質(zhì)點排列的周期性，在二十世紀中期，發(fā)現(xiàn)晶體中缺陷的存在，它嚴重影響晶體性質(zhì)，有些是決定性的，如半導體導電性質(zhì)，幾乎完全是由外來雜質(zhì)原子和缺陷存在決定的，許多離子晶體的顏色、發(fā)光等。另外，固體的強度，陶瓷、耐火材料的燒結和固相反應等等均與缺陷有關，晶體缺陷是近三、四年國內(nèi)外科學研究十分注意的一個內(nèi)容。
根據(jù)缺陷的作用范圍把真實晶體缺陷分四類：
點缺陷：在三維尺寸均很小，只在某些位置發(fā)生，只影響鄰近幾個原子。
線缺陷：在二維尺寸小，在另一維尺寸大，可被電鏡觀察到。
面缺陷：在一維尺寸小，在另二維尺寸大，可被光學顯微鏡觀察到。
體缺陷：在三維尺寸較大，如鑲嵌塊，沉淀相，空洞，氣泡等。
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