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| 線缺陷的詳述及具體分類 | |
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a-正常面網(wǎng), b-刃型位錯(cuò), c-螺型位錯(cuò)
主要從各自特點(diǎn)區(qū)別：
刃型：滑移方向與位錯(cuò)線垂直，多半個(gè)原子面，位錯(cuò)線可為曲線。
螺型：滑移方向與位錯(cuò)線平行，呈螺旋狀，位錯(cuò)線直線。
由于位錯(cuò)的存在對(duì)晶體的生長，雜質(zhì)在晶體中的擴(kuò)散，晶體內(nèi)鑲嵌結(jié)構(gòu)的形成及晶體的高溫蠕變性等一系列性質(zhì)和過程都有重要影響。
晶體位錯(cuò)的研究方法：通常用光學(xué)顯微鏡，X光衍射電子衍射和電子顯微鏡等技術(shù)進(jìn)行直接觀察和間接測(cè)定。
位錯(cuò)具有以下基本性質(zhì)：
(1)位錯(cuò)是晶體中原子排列的線缺陷，不是幾何意義的線，是有一定尺度的管道。
(2)形變滑移是位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的結(jié)果，并不是說位錯(cuò)是由形變產(chǎn)生的，因?yàn)橐粔K生長很完事的晶體中，本身就存在很多位錯(cuò)。
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